IPD068N10N3G ( Infineon) 明佳達電子 MOSFET オリジナル 鉛フリー

基本情報

単価(US$) お問い合わせ

型 番：IPD068N10N3G カテゴリー：MOSFET

メーカー： Infineon

鉛フリーステータス / RoHS ステータス: 鉛フリー / RoHS対応

状　況：在庫　新品　オリジナル

詳細

メーカ: Infineon

製品カテゴリー: MOSFET

RoHS: RoHS対応品

ブランド: Infineon Technologies

Id - 連続ドレイン電流: 90 A

Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧: 100 V

Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: 6.8 mOhms

トランジスタ極性: N-Channel

Vgs - ゲート - ソース間破壊電圧: 20 V

最高動作温度: + 175 C

Pd - 電力損失: 150 W

取り付け様式: SMD/SMT

パッケージ/ケース: TO-252-3

パッケージ化: Reel

チャネルモード: Enhancement

構成: Single

下降時間: 9 ns

最低動作温度: - 55 C

上昇時間: 37 ns

シリーズ: OptiMOS 3

工場パックの数量: 2500

トレードネーム: OptiMOS

標準電源切断遅延時間: 37 ns

別の部品番号: IPD068N10N3GBTMA1 SP000469892

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